HB2103系列硅压阻敏感芯片
HB2103系列硅压阻敏感芯片
 

 

 

特点:

 

·CAD设计、微电子和微机械加工技术融合制造

·闭合、单开、双开硅电阻电桥连接形式

·矩形、圆形弹性感压膜片构造

·恒流激励灵敏度温度自补偿功能

·反向PN结电隔离构造、玻璃绝缘衬片

·适用于表压、差压、负压测量

·覆盖低、中、高压力范围

 

 

主要技术指标:

序号

项目

规格指标

1

基准压力量程

相对压力

绝对压力

 

20Kpa35kPa100kPa250kPa600kPa1MPa1.6MPa2.5MPa

 

100 kPa250kPa600kPa1MPa1.6MPa2.5MPa6Mpa*10MPa*25MPa*40MPa*60MPa*100MPa*

2

芯片面积尺寸(um

2700×3450

2700×3450   2450×2450*

3

过载能力

2倍基准压力量程(10MPa);

2倍基准压力量程(>10MPa

4

桥路电阻

51±20%KΩ

5

零点失调

30mV

6

满量程输出

≥30mV(≤35KPa);

60mV(其它基准量程)

7

线性度

±0.25%FS

8

零点温度影响

±0.1%FS/

9

满量程温度影响

±0.1%FS/℃(≤35KPa

±0.05%FS/℃(其它基准量程)

10

短期稳定性

±0.05%FS/8h

11

供电电源

恒流或恒压(1±10%VDC

12

工作温度

-45+100


 

注:1.非线性数据计算方法为最小二乘法。

2.短期稳定性为25℃、5VDC恒压测试。

3.其余测试值均相对25℃、1mA恒流测试。

4. 硅片厚度c=400um、玻璃厚度d=800um



 

尺寸和焊接点示意图

 

 

 

 

 
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