概述：
HB2166系列硅压阻复合压力传感器采用硅集成压阻芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量，具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构，全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装及标准差压容室接口，可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数，广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。
主要技术指标：
序号
项目
差压
静压
温度
1
基准量程
40KPa、100KPa、400KPa、1000KPa
10MPa、16MPa
-30〜+80℃
2
桥路电阻
5（1±20%）KΩ
10（1±20%）KΩ
25（1±20%）KΩ
3
零点失调
≤20mV
≤30mV
4
满量程输出
≥50mV
≥15Ω/℃
5
静态精度
±0.1%FS ±0.25%FS ±0.5%FS
8
零点温度影响
±0.1%FS/℃
9
满量程温度影响
±0.05%FS/℃
10
长期稳定性
±0.1%FS/年，±0.2%FS/年
11
静压影响
±0.2%FS/10MPa；±0.5%FS/10MPa；±1%FS/10MPa；
12
供电电源
1（1±50%）mA， 或恒压5（1±10%）V DC
13
绝缘电阻
≥100MW(100V DC)
14
工作温度
-10～+60℃、-30～+80℃
传感器外型结构示意图 电气接线示意图
