HB2166系列硅压阻复合压力传感器
HB2166系列硅压阻复合压力传感器
 

 

概述:

 

HB2166系列硅压阻复合压力传感器采用硅集成压阻芯片作为传感元件,
用微机械加工技术自主设计制作,能够同时实现对现场中的差压、静压、
温度等参数进行测量,具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。
采用
四膜片静压和过载保护结构,全不锈钢壳体,316L隔离膜片封装及标
准差压容室接口,
可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数,广
泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。

 

 

主要技术指标:

序号

项目

差压

静压

温度

1

基准量程

40KPa、100KPa、400KPa、1000KPa

10MPa、16MPa

-30+80℃

2

桥路电阻

5(1±20%)KΩ

10(1±20%)KΩ

25(1±20%)KΩ

3

零点失调

20mV

30mV

 

4

满量程输出

50mV

50mV

15Ω/℃

5

静态精度

±0.1%FS  ±0.25%FS  ±0.5%FS

8

零点温度影响

±0.1%FS/℃

9

满量程温度影响

±0.05%FS/℃

10

长期稳定性

±0.1%FS/年,±0.2%FS/年

11

静压影响

±0.2%FS/10MPa;±0.5%FS/10MPa;±1%FS/10MPa;

12

供电电源

1(1±50%)mA,  或恒压5(1±10%)V DC

13

绝缘电阻

100MW(100V DC)

14

工作温度

-10~+60℃-30~+80℃

      

  传感器外型结构示意图                 电气接线示意图 

 

 

 

 

 
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