HB2119-S系列SOI硅压阻中、低量程压力传感器
HB2119-S系列SOI硅压阻中、低量程压力传感器
 

 

 

特点:

 

·隔离膜片密封充液的专利技术、可靠性和稳定性高

·SOI硅压阻敏感芯片

·恒流、恒压供电模式的温度补偿网络

·适合宽温区工作环境和介质温度

·不锈钢封装、便于使用装配

·应用领域:航空航天、石油化工、工业自动化控制、汽车、普通及特

  气体、液体的压力测量

 

 

主要技术指标:

序号

项目

规格

1

基准量程

35kPa、100kPa、250kPa、600kPa、1MPa、1.6MPa、2.5MPa

2

过载能力

2倍基准量程的

3

零点输出

±1mV

4

满量程输出

30mV (≤ 35 kPa ) ;≥50mV

5

准确度

±0.1%F.S、±0.25%F.S、±0.5%F.S

6

电特性

供电电源:1mA,或恒压5V    绝缘电阻:>100MW (100VDC)

7

桥路阻抗

4(1±20%)kW

8

长期稳定性

0.2%F.S /年

9

温度范围

工作温度:-45℃~+150℃   补偿温度-15℃~+125℃

10

零点温度系数

±0.015%/FS/℃(-15℃~+125℃)

11

灵敏度温度系数

±0.015%/FS/℃(-15℃~+125℃)

                   

注:1.准确度包括迟滞、重复性和非线性(最小二乘法)         

2.没有其它说明,所有测试值均相对25℃1mA恒流

  

 

           电气接线示意图                   传感器外形结构示意图

 

 

 

  典型应用电路

 

                 

 

 
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