
概述:
HB2188系列硅电容差压传感器采用硅电容差压敏感芯片作为传感元件,采用
微机械加工技术自主设计制作,层迭对称结构,采用差动电容原理检测压力信号,
具有全固态,高精度,高可靠性,高稳定性,温度范围宽,温度、静压影响小,单
向过载特性优异,易于后部数字化处理等特点。它采用全不锈钢壳体,316L隔离膜
片封装、标准差压容室接口。可用于测量液体、气体的差压、流量等参数,可作为
过程控制领域用差压变送器的核心部件。广泛应用于石油、化工、电力、冶金、轻
工、食品、环保、锅炉控制、带压容器测量等。
主要技术指标:
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序号 |
项目 |
技术指标 |
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1 |
基准量程 |
6kPa |
32kPa,130kPa,500kPa |
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2 |
工作温度 |
-30~+80℃ -40~+85℃ |
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3 |
基础电容 |
50pF±10pF |
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4 |
电容偏差 |
≤5pF |
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5 |
电容增量 |
≥20%基础电容 |
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6 |
绝缘电阻 |
≥200MW(100VDC) |
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7 |
静压影响 |
±0.1%FS/3.2MPa
±0.1%FS/10MPa
±0.25%FS/10MPa |
±0.075%FS/10MPa
±0.25%FS/10MPa |
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8 |
长期稳定性 |
±0.2%FS/年 |
传感器外型结构示意图 电气接线示意图
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