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中心概况

关于工程中心

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中心概况

       传感器国家工程研究中心——National Engineering Research Center for Transducer China(以下简称中心),是根据国家计委“计科技[1995]1779号”文件,依托沈阳仪表科学研究院于1995年正式启动建设,2002年12月20日经国家计委批复正式挂牌成立,建设地点位于辽宁省沈阳市。

       传感器国家工程中心是以提高自主创新能力、增强传感器产业核心竞争能力和发展为目标的研究开发实体,是国家传感器产业创新体系的重要组成部分。

重点研究力、热、光、磁及声学、生物与生命科学、电化学、图像等传感器技术,是涵盖科技研发、科技产业和科技服务多领域、多层面、多元化的传感器产业技术创新平台。

       中心的宗旨是以国家和行业利益为出发点,通过建立工程化研究、验证的设施和有利于技术创新、成果转化的机制,培育、提高自主创新能力,搭建传感器产业与科研之间的“桥梁”,研究开发产业关键共性技术,加快科研成果转化,促进产业技术进步和核心竞争能力的提高。

       中心拥有两条“芯片线”:“硅基压力敏感芯片4寸线”、“精密光学薄膜芯片4寸线”。中心的“大传感器产业体系”的规模已突破一个亿,从芯片——元器件——传感器——仪器仪表——系统成套的传感器产业链发展模式十余年来技术成果的转化创造市场价值近十亿元。中心总人数342人,其中研发人员167人。

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传感器国家工程研究中心

传感器国家工程研究中心——National Engineering Research Center for Transducer China(以下简称中心),是根据国家计委“计科技[1995]1779号”文件,依托沈阳仪表科学研究院于1995年正式启动建设,2002年12月20日经国家计委批复正式挂牌成立,建设地点位于辽宁省沈阳市。

2002

2002年正式挂牌成立

25

公司已成立25年

342

中心总人数

167

研发人员

中心的宗旨是以国家和行业利益为出发点

通过建立工程化研究、验证的设施和有利于技术创新、成果转化的机制,培育、提高自主创新能力,搭建传感器产业与科研之间的“桥梁”,研究开发产业关键共性技术,加快科研成果转化,促进产业技术进步和核心竞争能力的提高。

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电话:024-88713979

 

邮箱:info@hb-sais.com

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