HB2119-S系列SOI硅压阻高温压力传感器芯体
- 产品描述
特点
•隔离膜片密封充液的专利技术,可靠性和稳定性高
•SOI隔离硅压阻敏感芯片
•恒流、恒压供电模式的温度补偿网络
•适合宽温区的工作环境和介质温度
•不锈钢封装、便于使用装配
•应用领域:航空航天、石油化工、工业自动化控制、 汽车、普通及特殊气体、液体的压力测量
主要技术指标
•基准量程:35kPa,100kPa,250kPa,600kPa,lMPa,1.6MPa,2.5MPa (低、中量程)
4MPa,6MPa,10MPa,25MPa,40MPa,60MPa,100MPa (中、高量程)
•过载能力:1.5倍基准量程
-零点输岀:≤±lmV
•满量程输岀:≥30mV(W35kPa);≥50mV
•准确度:±0.1%F.S. , ±0.25%F.S. , ±0.5%F.S.
•电特性: 供电电源:恒流1mA,或恒压5V
绝缘电阻:>100M。(100VDC)
桥路阻抗:4(1 ±20%) k。
•长期稳定性:±0.2%F.S./年
•工作温度:-45℃〜+1507 (补偿温度:-15T〜+125T)
•零点温度系数:±0.015%「《./无(-15℃〜+125T); ± 0.025%F.S./cC(-45T - +150T)
•灵敏度温度系数:±0.015%F.S./Y(-15℃:〜+125℃); ± 0.025%F.S./℃(-45℃~+150℃)
注:1.准确度包括迟滞、重复性和非线性(最小二乘法)
2. 没有其它说明,所有测试值均相对25T
3. 零点温度系数和灵敏度温度系数均为补偿温度后指标 HB-W