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HB2119-S系列SOI硅压阻高温压力传感器芯体

产品系列

HB2119-S系列SOI硅压阻高温压力传感器芯体

01

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  • 产品描述
  • 特点

    •隔离膜片密封充液的专利技术,可靠性和稳定性高

    SOI隔离硅压阻敏感芯片

    •恒流、恒压供电模式的温度补偿网络

    适合宽温区的工作环境和介质温度

    不锈钢封装、便于使用装配

    •应用领域:航空航天、石油化工、工业自动化控制、 汽车、普通及特殊气体、液体的压力测量

    主要技术指标

    •基准量程:35kPa,100kPa,250kPa,600kPa,lMPa,1.6MPa,2.5MPa (低、中量程)

    4MPa,6MPa,10MPa,25MPa,40MPa,60MPa,100MPa (中、高量程)

    •过载能力:1.5倍基准量程

    -零点输岀:≤±lmV

    •满量程输岀:≥30mV(W35kPa);≥50mV

    •准确度:±0.1%F.S. , ±0.25%F.S. , ±0.5%F.S.

    电特性: 供电电源:恒流1mA,或恒压5V

                    绝缘电阻:>100M。(100VDC)

                    桥路阻抗:4(1 ±20%) k。

    •长期稳定性:±0.2%F.S./年

    •工作温度:-45℃〜+1507 (补偿温度:-15T〜+125T)

    •零点温度系数:±0.015%「《./无(-15℃〜+125T); ± 0.025%F.S./cC(-45T - +150T)

    •灵敏度温度系数:±0.015%F.S./Y(-15℃:〜+125℃); ± 0.025%F.S./℃(-45℃~+150℃)

    注:1.准确度包括迟滞、重复性和非线性(最小二乘法)

    2. 没有其它说明,所有测试值均相对25T

    3. 零点温度系数和灵敏度温度系数均为补偿温度后指标 HB-W

     

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