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HB2104系列SOI硅压阻敏感芯片
2014
- 产品描述
主要技术指标
・基准量程：
相对压力：35kPa, l00kPa, 250kPa, 600kPa, 1MPa, 1.6MPa, 2.5MPa
绝对压力:l00kPa, 250kPa, 600kPa, 1MPa, 1.6MPa,
2.5MPa*, 6MPa*, 10MPa*, 25MPa*, 40MPa*, 60MPa*
•芯片面积尺寸(μm)：
相对压力：3340 x 3340
绝对压力：3340 x 3340 2450 x 2450*
•过载能力：2倍基准量程(≤lOMPa); 1.5倍基准量程(>10MPa)
•桥路电阻：4(1 ±20%)kΩ
•零点失调：W20mV
•满量程输出：》40mV(35kPa); N60mV
•线性度：±0.25%F.S.
•零点温度影响：±0.1%F.S./T
•满量程温度影响：±0.1%F.S./T
•零点短期稳定性：±0.05%F.S./8h
•供电电源：恒流1mA或恒压5VDC
•工作温度：-55℃〜+175℃铝电极焊盘)；-55℃+300℃(特殊定制、金电极焊盘)
上一个 :
无
